Die beiden Cluster Nanotechnologie und Leistungselektronik luden Mitte Oktober zu einer Vortragsveranstaltung zu neuen Halbleitermaterialien in der Leistungselektronik ein. Im ersten Teil verdeutlichten Muzaffer Albayrak (Wolfspeed), Dr. Peter Friedrichs (Infineon) und Dr. Jens Baringhaus (Bosch) den aktuellen Stand und die Potentiale der in vielen Anwendungen bereits etablierten Halbleitermaterialien SiC und GaN. Prof. Thomas Schröder (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, IKZ), Dr. Oliver Hilt (Ferdinand-Braun-Institut) und Dr. Elke Meißner (Fraunhofer IISB) stellten den aktuellen Stand weiterer sog. Wide-Bandgap-Materialien wie Galliumoxid oder Aluminiumnitrid vor. Prof. Schröder hatte sogar einen knapp faustgroßen Ga₂O₃-Kristall mitgebracht und ließ diesen im Saal herumreichen. Abgerundet wurde das Seminar durch einen Ausblick in die Analytik von Dr. Marcus Weth (Nanosurf) sowie in die Simulation der Physik von Halbleitermaterialien durch Dr. Stefan Birner (nextnano).

Die Veranstaltung bot eine exzellente Gelegenheit, sich über den aktuellen Stand zu informieren und mit Experten zu sprechen. Vielen Dank an alle Teilnehmenden und an Prof. Jörg Schulze für die Gelegenheit, die Räumlichkeiten am Fraunhofer IISB nutzen zu können!

Mitarbeiter von ClusterLE-Kernakteuren oder ECPE-Mitgliedern haben auf der Webseite (interner Bereich) Zugriff auf die Präsentationen zu diesem Seminar.